TelegramМодуль пам"яті SO-DIMM DDR5 16GB 5600 Hynix original C46 (HMCG78AGBSA095N)
Invoice with VAT 20%
Address delivery «Nova Posta»
Courier in Kiev 1 ₴Опис товару
Модуль оперативної пам'яті Hynix (артикул HMCG78AGBSA095N) об'ємом 16 ГБ — це оригінальний високотехнологічний компонент від одного з провідних світових лідерів у виробництві напівпровідників. Дана планка пам'яті формату SO-DIMM спеціально розроблена для найсучасніших ігрових ноутбуків та мобільних робочих станцій, що базуються на новітніх процесорах Intel Core та AMD Ryzen. Завдяки високій тактовій частоті 5600 МГц, цей модуль забезпечує значну пропускну здатність, що дозволяє миттєво обробляти великі масиви даних, прискорювати завантаження програм та гарантувати плавність ігрового процесу. Будучи оригінальним продуктом SK Hynix (Original), він часто використовується як OEM-комплектуюче для преміальних лінійок лептопів, що підтверджує його виняткову стабільність та надійність. Стандарт DDR5 приносить інтегровану технологію On-die ECC, яка автоматично виправляє бітові помилки безпосередньо в чіпах пам'яті, суттєво підвищуючи відмовостійкість системи. Завдяки вбудованому вузлу управління живленням (PMIC) на самій платі та низькій робочій напрузі 1.1 В, модуль демонструє чудову енергоефективність, що критично важливо для подовження автономної роботи ноутбука та зниження теплового навантаження всередині пристрою.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 16 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR5 SO-DIMM (262-pin).
Тактова частота: 5600 МГц (PC5-44800).
Схема таймінгів: CL46-45-45.
Робоча напруга: 1.1 В.
Технології: On-die ECC (внутрішня корекція помилок), інтегрований PMIC.
Архітектура: 1Rx8 (однорангова структура).
Виробник чіпів: SK Hynix (Original).
Модуль оперативної пам'яті Hynix (артикул HMCG78AGBSA095N) об'ємом 16 ГБ — це оригінальний високотехнологічний компонент від одного з провідних світових лідерів у виробництві напівпровідників. Дана планка пам'яті формату SO-DIMM спеціально розроблена для найсучасніших ігрових ноутбуків та мобільних робочих станцій, що базуються на новітніх процесорах Intel Core та AMD Ryzen. Завдяки високій тактовій частоті 5600 МГц, цей модуль забезпечує значну пропускну здатність, що дозволяє миттєво обробляти великі масиви даних, прискорювати завантаження програм та гарантувати плавність ігрового процесу. Будучи оригінальним продуктом SK Hynix (Original), він часто використовується як OEM-комплектуюче для преміальних лінійок лептопів, що підтверджує його виняткову стабільність та надійність. Стандарт DDR5 приносить інтегровану технологію On-die ECC, яка автоматично виправляє бітові помилки безпосередньо в чіпах пам'яті, суттєво підвищуючи відмовостійкість системи. Завдяки вбудованому вузлу управління живленням (PMIC) на самій платі та низькій робочій напрузі 1.1 В, модуль демонструє чудову енергоефективність, що критично важливо для подовження автономної роботи ноутбука та зниження теплового навантаження всередині пристрою.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 16 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR5 SO-DIMM (262-pin).
Тактова частота: 5600 МГц (PC5-44800).
Схема таймінгів: CL46-45-45.
Робоча напруга: 1.1 В.
Технології: On-die ECC (внутрішня корекція помилок), інтегрований PMIC.
Архітектура: 1Rx8 (однорангова структура).
Виробник чіпів: SK Hynix (Original).
| В наявності | Так |
| Main characteristics | |
| Type of | RAM |
| Manufacturer | Hynix |
| Memory form factor | SO-DIMM |
| Memory type | DDR5 |
| Memory | 16 GB |
| Number of modules | 1 |
| Memory frequency, MHz | 5600 |
| Timings | CL46 |
| Operating voltage, V | 1.1 |
| Cooling | Not |
| Warranty | |
| Warranty | 12 months |
| Purpose | For laptop |
* Characteristics, delivery and appearance of the product may differ from those indicated and / or may be changed by the manufacturer without reflection of the product in the card.
![Пам"ять Samsung 16 GB SO-DIMM DDR5 5600 MHz (M425R2GA3EB0-CWM)](/wa-data/public/shop/products/46/88/988846/images/988846001/988846001.250.jpg "Пам"ять Samsung 16 GB SO-DIMM DDR5 5600 MHz (M425R2GA3EB0-CWM)")
