Модуль пам'яті HYNIX SO-DIMM DDR4 2666MHz 4GB (HMA851S6DJR6N-VK)

Арт: HMA851S6DJR6N-VK
Код: 406246
Hynix 4 ГБ SODIMM DDR4 2666 МГц Небуферизована (Unbuffered) Звичайна 1.2 У CL19 Ні 1 Для ноутбука Ні (non-ECC)
В наявності
(в т.ч. ПДВ 20%)

  • Рахунок з ПДВ 20% Рахунок з ПДВ 20%
  • Рахунок без ПДВ Рахунок без ПДВ
  • Адресна Адресна доставка «Нова пошта»
    доставимо: 03.04
  • У відділення «Нова пошта» У відділення «Нова пошта»
    доставимо: 03.04
  • Кур`єр по Києву Кур`єр по Києву 60
    доставимо: 03.04
  • Гарантия Гарантія: 36 міс.
  • Обмен/возврат Обмін/повернення: 14 дн.
Форм-фактор та тип пам'яті: SO-DIMM DDR4
Об'єм пам'яті: 4 ГБ
Кількість модулів в комплекті: 1 × 4 ГБ
Тактова частота: 2666 МГц
CAS-затримка: CL17
Робоча напруга: 1.2 В
Low Profile: немає
Підсвічування: відсутнє
Радіатор: відсутній
В наявності Так
Основні характеристики
Тип Оперативна пам'ять
Виробник Hynix
Форм-фактор пам'яті SO-DIMM
Тип пам'яті DDR4
Обсяг пам'яті 4 Гб
Кількість модулів 1
Пропускна здатність, Мб / с 21300
Частота пам'яті, МГц 2666
Таймінги CL19
Робоча напруга, В 1.2
Охолодження ні
Вага упаковки 9 кг
Гарантія
Гарантія 36 міс.
Призначення Для ноутбука

* Характеристики, комплект поставки та зовнішній вигляд товару можуть відрізнятися від зазначених і/або можуть бути змінені виробником без відображення в картці товару.

Рекомендуємо переглянути

Модуль пам'яті SAMSUNG SO-DIMM DDR4 3200MHz 4GB (M471A5244CB0-CWE)
Арт: M471A5244CB0-CWE
Код: 386172
(в т.ч. ПДВ 20%)
0
В наявності
Модуль пам'яті MICRON SO-DIMM DDR4 2666MHz 4GB (MTA4ATF51264HZ-2G6E1)
Арт: MTA4ATF51264HZ-2G6E1
Код: 385632
(в т.ч. ПДВ 20%)
0
В наявності
Модуль пам'яті SAMSUNG SO-DIMM DDR4 2666MHz 4GB (M471A5244CB0-CTD)
Арт: M471A5244CB0-CTD
Код: 324946
(в т.ч. ПДВ 20%)
0
В наявності
DDR-4 SO-DIMM 4GB Samsung original CL16 (M471A5244CB0-CRC)
Арт: M471A5244CB0-CRC
Код: 200904
(в т.ч. ПДВ 20%)
0
В наявності