Память SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 5600 MHz, Samsung, 1.1V, CL46 (M425R1GB4PB0-CWM)

Опис товару
Модуль оперативної пам'яті Samsung (артикул M425R1GB4PB0-CWM) об'ємом 8 ГБ — це оригінальний високотехнологічний компонент нового покоління, створений для найсучасніших ноутбуків та компактних систем. Працюючи на тактовій частоті 5600 МГц, цей модуль забезпечує стрімку пропускну здатність, що дозволяє системі миттєво обробляти дані, прискорюючи завантаження програм та роботу в режимі багатозадачності. Будучи продуктом від провідного світового виробника напівпровідників, планка гарантує бездоганну якість та повну відповідність стандартам JEDEC. Важливою інновацією DDR5 є наявність вбудованої функції корекції помилок On-die ECC, яка автоматично виправляє бітові збої, суттєво підвищуючи надійність роботи операційної системи. Завдяки інтегрованій схемі керування живленням (PMIC) безпосередньо на модулі та низькій напрузі 1.1 В, пам'ять демонструє чудову енергоефективність, що позитивно впливає на автономність ноутбука та знижує нагрів компонентів у щільному корпусі. Це ідеальний вибір для модернізації пристроїв на базі новітніх процесорів Intel Core та AMD Ryzen, де на першому місці стоїть надійність та швидкість.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 8 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR5 SO-DIMM (262-pin).
Тактова частота: 5600 МГц (PC5-44800).
Схема таймінгів: CL46-45-45.
Робоча напруга: 1.1 В.
Технології: On-die ECC, інтегрована схема управління живленням (PMIC).
Архітектура: 1Rx16 (однорангова структура).
Виробник чіпів: Samsung (Original).