RAM SO-DIMM DDR5 32GB / PC5600 /UB/ Samsung (M425R4GA3PB0-CWM)
Опис товару
Модуль оперативної пам'яті Samsung (артикул M425R4GA3PB0-CWM) об'ємом 32 ГБ — це оригінальний компонент преміумкласу, розроблений для радикальної модернізації найсучасніших ноутбуків та мобільних робочих станцій. Завдяки значній місткості на одній планці, цей модуль дозволяє професійно працювати з найбільш ресурсомісткими завданнями: від складного 3D-рендерингу та монтажу відео у високій роздільній здатності до запуску численних віртуальних машин. Працюючи на частоті 5600 МГц, пам'ять забезпечує колосальну пропускну здатність, що дозволяє сучасним процесорам Intel та AMD Ryzen працювати без затримок у найважчих сценаріях. Будучи продуктом безпосереднього виробника напівпровідників, цей модуль вирізняється найвищою надійністю та суворим дотриманням стандартів JEDEC. Впровадження архітектури DDR5 принесло інтегровану технологію On-die ECC для автоматичного виправлення бітових помилок та інтегрований вузол керування живленням (PMIC). Це дозволяє досягти виняткової стабільності системи при низькій робочій напрузі 1.1 В, що знижує загальне енергоспоживання та нагрівання компонентів усередині компактного корпусу пристрою.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 32 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR5 SO-DIMM (262-pin).
Тактова частота: 5600 МГц (PC5-44800).
Схема таймінгів: CL46-45-45.
Робоча напруга: 1.1 В.
Архітектура (Ранговість): 2Rx8 (дворангова структура для вищої ефективності).
Технології: On-die ECC, інтегрована схема управління живленням (PMIC).
Виробник чіпів: Samsung (Original).
Модуль оперативної пам'яті Samsung (артикул M425R4GA3PB0-CWM) об'ємом 32 ГБ — це оригінальний компонент преміумкласу, розроблений для радикальної модернізації найсучасніших ноутбуків та мобільних робочих станцій. Завдяки значній місткості на одній планці, цей модуль дозволяє професійно працювати з найбільш ресурсомісткими завданнями: від складного 3D-рендерингу та монтажу відео у високій роздільній здатності до запуску численних віртуальних машин. Працюючи на частоті 5600 МГц, пам'ять забезпечує колосальну пропускну здатність, що дозволяє сучасним процесорам Intel та AMD Ryzen працювати без затримок у найважчих сценаріях. Будучи продуктом безпосереднього виробника напівпровідників, цей модуль вирізняється найвищою надійністю та суворим дотриманням стандартів JEDEC. Впровадження архітектури DDR5 принесло інтегровану технологію On-die ECC для автоматичного виправлення бітових помилок та інтегрований вузол керування живленням (PMIC). Це дозволяє досягти виняткової стабільності системи при низькій робочій напрузі 1.1 В, що знижує загальне енергоспоживання та нагрівання компонентів усередині компактного корпусу пристрою.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 32 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR5 SO-DIMM (262-pin).
Тактова частота: 5600 МГц (PC5-44800).
Схема таймінгів: CL46-45-45.
Робоча напруга: 1.1 В.
Архітектура (Ранговість): 2Rx8 (дворангова структура для вищої ефективності).
Технології: On-die ECC, інтегрована схема управління живленням (PMIC).
Виробник чіпів: Samsung (Original).
| Гарантія |
* Характеристики, комплект поставки та зовнішній вигляд товару можуть відрізнятися від зазначених і/або можуть бути змінені виробником без відображення в картці товару.