TelegramRAM SO-DIMM DDR5 16GB / PC5600 /UB/ Samsung (M425R2GA3PB0-CWM)
Invoice with VAT 20%
Address delivery «Nova Posta»
Courier in Kiev 1 ₴Опис товару
Модуль оперативної пам'яті Samsung (артикул M425R2GA3PB0-CWM) об'ємом 16 ГБ — це оригінальний компонент нового покоління, розроблений для модернізації сучасних ноутбуків, моноблоків та компактних систем (Mini-PC). Завдяки високій тактовій частоті 5600 МГц, цей модуль забезпечує стрімку пропускну здатність, що дозволяє системі миттєво обробляти дані, прискорювати завантаження професійних програм та гарантувати плавність ігрового процесу в найсучасніших проектах. Будучи продуктом від провідного світового виробника напівпровідників, планка гарантує бездоганну якість виконання та повну відповідність індустріальним стандартам JEDEC. Важливою інновацією архітектури DDR5 є вбудована технологія корекції помилок On-die ECC, яка автоматично виправляє бітові збої безпосередньо в чіпах пам'яті, суттєво підвищуючи надійність роботи операційної системи під навантаженням. Завдяки інтегрованій схемі керування живленням (PMIC) та низькій робочій напрузі 1.1 В, пам'ять демонструє чудову енергоефективність, що позитивно впливає на автономність ноутбука та знижує нагрів внутрішніх компонентів у щільному корпусі пристрою.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 16 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR5 SO-DIMM (262-pin).
Тактова частота: 5600 МГц (PC5-44800).
Схема таймінгів: CL46-45-45.
Робоча напруга: 1.1 В.
Архітектура (Ранговість): 1Rx8 (однорангова структура).
Технології: On-die ECC, інтегрована схема управління живленням (PMIC).
Виробник чіпів: Samsung (Original).
Модуль оперативної пам'яті Samsung (артикул M425R2GA3PB0-CWM) об'ємом 16 ГБ — це оригінальний компонент нового покоління, розроблений для модернізації сучасних ноутбуків, моноблоків та компактних систем (Mini-PC). Завдяки високій тактовій частоті 5600 МГц, цей модуль забезпечує стрімку пропускну здатність, що дозволяє системі миттєво обробляти дані, прискорювати завантаження професійних програм та гарантувати плавність ігрового процесу в найсучасніших проектах. Будучи продуктом від провідного світового виробника напівпровідників, планка гарантує бездоганну якість виконання та повну відповідність індустріальним стандартам JEDEC. Важливою інновацією архітектури DDR5 є вбудована технологія корекції помилок On-die ECC, яка автоматично виправляє бітові збої безпосередньо в чіпах пам'яті, суттєво підвищуючи надійність роботи операційної системи під навантаженням. Завдяки інтегрованій схемі керування живленням (PMIC) та низькій робочій напрузі 1.1 В, пам'ять демонструє чудову енергоефективність, що позитивно впливає на автономність ноутбука та знижує нагрів внутрішніх компонентів у щільному корпусі пристрою.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 16 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR5 SO-DIMM (262-pin).
Тактова частота: 5600 МГц (PC5-44800).
Схема таймінгів: CL46-45-45.
Робоча напруга: 1.1 В.
Архітектура (Ранговість): 1Rx8 (однорангова структура).
Технології: On-die ECC, інтегрована схема управління живленням (PMIC).
Виробник чіпів: Samsung (Original).
| В наявності | Так |
| Main characteristics | |
| Type of | RAM |
| Manufacturer | Samsung |
| Memory form factor | SO-DIMM |
| Memory type | DDR5 |
| Memory | 16 GB |
| Memory frequency, MHz | 5600 |
| Weight of packing | 9 kg |
| Warranty | |
| Warranty | 36 months |
| Purpose | For server |
* Characteristics, delivery and appearance of the product may differ from those indicated and / or may be changed by the manufacturer without reflection of the product in the card.
