Пам"ять Hynix 4 GB SO-DIMM DDR3L 1333 MHz (HMT351S6CFR8A-H9)

Арт: HMT351S6CFR8A-H9
Код: 942156
Пам"ять Hynix 4 GB SO-DIMM DDR3L 1333 MHz (HMT351S6CFR8A-H9)
В наявності
(в т.ч. ПДВ 20%)
  • Рахунок з ПДВ 20% Рахунок з ПДВ 20%
  • Рахунок без ПДВ Рахунок без ПДВ
  • Адресна Адресна доставка «Нова пошта»
    доставимо: 20.05
  • У відділення «Нова пошта» У відділення «Нова пошта»
    доставимо: 20.05
  • Кур`єр по Києву Кур`єр по Києву 60
    доставимо: 20.05
  • Гарантия Гарантія: 24 міс.
  • Обмен/возврат Обмін/повернення: 14 дн.
Опис товару
Модуль оперативної пам'яті Hynix (артикул HMT351S6CFR8A-H9) об'ємом 4 ГБ є високоякісним компонентом від одного з лідерів світового ринку напівпровідників. Ця планка пам'яті розроблена для ноутбуків та компактних систем, що потребують енергоефективного стандарту DDR3L. Головною особливістю модуля є його здатність працювати при зниженій напрузі 1.35 В, що не лише зменшує енергоспоживання та тепловиділення, а й забезпечує сумісність із процесорами Intel Core від 3-го до 6-го поколінь. Завдяки тактовій частоті 1333 МГц, пам'ять гарантує стабільну та плавну роботу системи під час виконання повсякденних завдань, таких як робота з документами, перегляд відео високої чіткості та веб-серфінг. Продукція Hynix часто використовується як оригінальне обладнання (OEM) провідними виробниками лептопів, що є прямим підтвердженням її надійності та довговічності. Використання перевірених часом восьми чіпів щільної компоновки забезпечує чудову сумісність із різними архітектурами материнських плат. Встановлення цього модуля дозволяє ефективно оновити старіший ноутбук, надаючи йому необхідний ресурс для швидкого відгуку сучасних прикладних програм та стабільної багатозадачності.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 4 ГБ.
Тип пам'яті: DDR3L SO-DIMM (204-pin).
Тактова частота: 1333 МГц.
Пропускна здатність: 10600 МБ/с (PC3L-10600).
Робоча напруга: 1.35 В (підтримує роботу при 1.5 В).
Схема таймінгів: CL9.
Архітектура чіпів: 1Rx8 (однорангова).
Призначення: Ноутбуки, моноблоки, неттопи.
В наявності Так
Основні характеристики
Тип Оперативна пам'ять
Виробник Hynix
Форм-фактор пам'яті SO-DIMM
Тип пам'яті DDR3
Обсяг пам'яті 4 Гб
Кількість модулів 1
Частота пам'яті, МГц 1333
Таймінги CL9
Гарантія
Гарантія 24 міс.
Призначення Для ноутбука

* Характеристики, комплект поставки та зовнішній вигляд товару можуть відрізнятися від зазначених і/або можуть бути змінені виробником без відображення в картці товару.

Рекомендуємо переглянути

Пам"ять Apacer 4 GB SO-DIMM DDR3L 1600 MHz (76.B353G.C7A0C)
Арт: 76.B353G.C7A0C
Код: 973385
(в т.ч. ПДВ 20%)
0
В наявності
Пам"ять Micron 4 GB SO-DIMM DDR3L 1866 MHz (MT8KTF51264HZ-1G9E2)
Арт: MT8KTF51264HZ-1G9E2
Код: 965324
(в т.ч. ПДВ 20%)
0
В наявності
Модуль пам'яті ATRIA SO-DIMM DDR3 1600MHz 4GB (UAT31600CL11SK1/4)
Арт: UAT31600CL11SK1/4
Код: 659094
(в т.ч. ПДВ 20%)
0
В наявності
Оперативна пам'ять Samsung DDR3 2GB 1600 MHz (M378B5773EB0-CK0)
Арт: M378B5773EB0-CK0
Код: 634697
(в т.ч. ПДВ 20%)
0
В наявності
Оперативна пам'ять MICRON DDR3L SO-DIMM 1600MHz 4Gb C11 (MT8KTF51264HZ-1G6N1)
Арт: MT8KTF51264HZ-1G6N1
Код: 401585
(в т.ч. ПДВ 20%)
0
В наявності
Модуль пам'яті SAMSUNG SO-DIMM DDR3 1600MHz 4GB (M471B5273DH0-CK0)
Арт: M471B5273DH0-CK0
Код: 401576
(в т.ч. ПДВ 20%)
0
В наявності
Пам"ять DDR3 SO-DIMM Kingston 1600 4Gb C11 - (KNWMX1-HYA)
Арт: KNWMX1-HYA
Код: 401482
(в т.ч. ПДВ 20%)
0
В наявності
Оперативна пам'ять DDR3 SO-DIMM SAMSUNG 1600 4Gb C11 1.5v (M471B5173BH0-CK0)
Арт: M471B5173BH0-CK0
Код: 401476
(в т.ч. ПДВ 20%)
0
В наявності
Модуль пам'яті MICRON SO-DIMM DDR3 1333MHz 2GB (MT8JSF25664HZ-1G4D1)
Арт: MT8JSF25664HZ-1G4D1
Код: 384258
(в т.ч. ПДВ 20%)
0
В наявності
Модуль пам'яті SAMSUNG SO-DIMM DDR3 1600MHz 2GB (M471B5773DH0-CK0)
Арт: M471B5773DH0-CK0
Код: 384252
(в т.ч. ПДВ 20%)
0
В наявності