TelegramМодуль пам'яті SAMSUNG SO-DIMM DDR4 3200MHz 8GB (M471A1K43EB1-CWE)
Рахунок з ПДВ 20%
Адресна доставка «Нова пошта»
Кур`єр по Києву 60 ₴Опис товару
Модуль оперативної пам'яті Samsung (артикул M471A1K43EB1-CWE) об'ємом 8 ГБ — це оригінальний високоякісний компонент, який є промисловим стандартом для сучасних ноутбуків, моноблоків та компактних ПК (Mini-PC). Завдяки тактовій частоті 3200 МГц, ця пам'ять забезпечує високу пропускну здатність, що критично важливо для швидкого відгуку системи, плавної роботи в браузерах та ефективного виконання офісних і навчальних завдань. Будучи продуктом прямого виробника напівпровідників, цей модуль вирізняється бездоганною надійністю та повною сумісністю з пристроями на базі процесорів Intel Core та AMD Ryzen. Однорангова архітектура (1Rx8) на базі фірмових чіпів Samsung забезпечує стабільність та низькі затримки. Завдяки низькій робочій напрузі 1.2 В, модуль сприяє енергоефективності ноутбука, подовжуючи час роботи від акумулятора та знижуючи загальне тепловиділення всередині корпусу. Це ідеальний вибір як для розширення пам'яті в новому пристрої, так і для заміни штатного модуля.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 8 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR4 SO-DIMM (260-pin).
Тактова частота: 3200 МГц (PC4-25600).
Схема таймінгів: CL22-22-22.
Робоча напруга: 1.2 В.
Архітектура (Ранговість): 1Rx8 (однорангова структура).
Тип: Unbuffered (небуферизована), Non-ECC.
Виробник чіпів: Samsung (Original).
Призначення: Ноутбуки, моноблоки, Apple Mac (на базі Intel), Mini-PC.
Модуль оперативної пам'яті Samsung (артикул M471A1K43EB1-CWE) об'ємом 8 ГБ — це оригінальний високоякісний компонент, який є промисловим стандартом для сучасних ноутбуків, моноблоків та компактних ПК (Mini-PC). Завдяки тактовій частоті 3200 МГц, ця пам'ять забезпечує високу пропускну здатність, що критично важливо для швидкого відгуку системи, плавної роботи в браузерах та ефективного виконання офісних і навчальних завдань. Будучи продуктом прямого виробника напівпровідників, цей модуль вирізняється бездоганною надійністю та повною сумісністю з пристроями на базі процесорів Intel Core та AMD Ryzen. Однорангова архітектура (1Rx8) на базі фірмових чіпів Samsung забезпечує стабільність та низькі затримки. Завдяки низькій робочій напрузі 1.2 В, модуль сприяє енергоефективності ноутбука, подовжуючи час роботи від акумулятора та знижуючи загальне тепловиділення всередині корпусу. Це ідеальний вибір як для розширення пам'яті в новому пристрої, так і для заміни штатного модуля.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 8 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR4 SO-DIMM (260-pin).
Тактова частота: 3200 МГц (PC4-25600).
Схема таймінгів: CL22-22-22.
Робоча напруга: 1.2 В.
Архітектура (Ранговість): 1Rx8 (однорангова структура).
Тип: Unbuffered (небуферизована), Non-ECC.
Виробник чіпів: Samsung (Original).
Призначення: Ноутбуки, моноблоки, Apple Mac (на базі Intel), Mini-PC.
| В наявності | Так |
| Призначення | Для ноутбука |
| Основні характеристики | |
| Тип | Оперативна пам'ять |
| Виробник | Samsung |
| Форм-фактор пам'яті | SO-DIMM |
| Тип пам'яті | DDR4 |
| Обсяг пам'яті | 8 Гб |
| Кількість модулів | 1 |
| Пропускна здатність, Мб / с | 25600 |
| Частота пам'яті, МГц | 3200 |
| Таймінги | CL22 |
| Робоча напруга, В | 1.2 |
| Охолодження | ні |
| Вага упаковки | 9 кг |
| Гарантія | |
| Гарантія | 12 міс. |
* Характеристики, комплект поставки та зовнішній вигляд товару можуть відрізнятися від зазначених і/або можуть бути змінені виробником без відображення в картці товару.