Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 12Gb, 5600 MHz, Hynix, 1.1V, CL46 (HMCGG6MGBSB212N)

Опис товару
Модуль оперативної пам'яті Hynix (артикул HMCGG6MGBSB212N) об'ємом 12 ГБ — це інноваційне рішення «небінарної» ємності, яке відкриває нові можливості для гнучкого налаштування об'єму пам'яті в сучасних ноутбуках. Дана модель базується на передовій архітектурі DDR5 і працює на високій тактовій частоті 5600 МГц, що забезпечує значний приріст пропускної здатності порівняно зі стандартними модулями минулих поколінь. Використання ємності 12 ГБ дозволяє отримати оптимальний сумарний об'єм (наприклад, 24 ГБ у двоканальному режимі), що ідеально підходить для користувачів, яким недостатньо 16 ГБ, але 32 ГБ є надлишковими. Будучи оригінальним продуктом SK Hynix, цей модуль вирізняється найвищою стабільністю та часто використовується як оригінальне обладнання (OEM) у преміальних серіях лептопів. Впровадження стандарту DDR5 принесло інтегровану технологію On-die ECC для автоматичного виправлення бітових помилок безпосередньо в чіпах пам'яті, що гарантує виняткову надійність системи. Завдяки вбудованому вузлу управління живленням (PMIC) та низькій напрузі 1.1 В, модуль демонструє чудову енергоефективність, що критично важливо для збереження заряду акумулятора та зниження теплового навантаження всередині компактного корпусу пристрою.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 12 ГБ (небінарна ємність).
Тип пам'яті: DDR5 SO-DIMM (262-pin).
Тактова частота: 5600 МГц.
Схема таймінгів: CL46-45-45.
Робоча напруга: 1.1 В.
Технології: On-die ECC, інтегрована схема управління живленням (PMIC).
Виробник чіпів: SK Hynix (Original).
Призначення: Сучасні ноутбуки та Mini-PC на базі процесорів Intel Core 13/14-го покоління та AMD Ryzen 7000/8000 серій.