TelegramМодуль пам"яті SO-DIMM DDR5 8GB 5600 Samsung original C40 (M425R1GB4BB0-CWM)
Рахунок з ПДВ 20%
Адресна доставка «Нова пошта»
Кур`єр по Києву 60 ₴Опис товару
Модуль оперативної пам'яті Samsung (артикул M425R1GB4BB0-CWM) об'ємом 8 ГБ — це оригінальний високотехнологічний компонент нового покоління від світового лідера у виробництві напівпровідників. Дана планка формату SO-DIMM розроблена для найсучасніших ноутбуків та компактних систем, що базуються на передовій архітектурі DDR5. Завдяки тактовій частоті 5600 МГц, цей модуль забезпечує колосальну пропускну здатність, що дозволяє миттєво обробляти великі масиви даних, прискорювати завантаження програм та гарантувати плавність ігрового процесу. Будучи оригінальним продуктом Samsung, модуль проходить найсуворіший контроль якості та тестування, що гарантує бездоганну стабільність роботи навіть у режимі максимального навантаження. Стандарт DDR5 приносить інтегровану технологію On-die ECC, яка автоматично виправляє бітові помилки безпосередньо в чіпах пам'яті, суттєво підвищуючи надійність системи. Завдяки вбудованому вузлу управління живленням (PMIC) на самій платі та низькій робочій напрузі 1.1 В, модуль демонструє чудову енергоефективність, що критично важливо для подовження автономної роботи ноутбука та зниження теплового навантаження на внутрішні компоненти пристрою.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 8 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR5 SO-DIMM (262-pin).
Тактова частота: 5600 МГц (PC5-44800).
Схема таймінгів: CL46 (стандарт JEDEC для частоти 5600).
Робоча напруга: 1.1 В.
Технології: On-die ECC (внутрішня корекція помилок), інтегрований PMIC.
Архітектура: 1Rx16 (однорангова структура).
Виробник чіпів: Samsung (Original).
Модуль оперативної пам'яті Samsung (артикул M425R1GB4BB0-CWM) об'ємом 8 ГБ — це оригінальний високотехнологічний компонент нового покоління від світового лідера у виробництві напівпровідників. Дана планка формату SO-DIMM розроблена для найсучасніших ноутбуків та компактних систем, що базуються на передовій архітектурі DDR5. Завдяки тактовій частоті 5600 МГц, цей модуль забезпечує колосальну пропускну здатність, що дозволяє миттєво обробляти великі масиви даних, прискорювати завантаження програм та гарантувати плавність ігрового процесу. Будучи оригінальним продуктом Samsung, модуль проходить найсуворіший контроль якості та тестування, що гарантує бездоганну стабільність роботи навіть у режимі максимального навантаження. Стандарт DDR5 приносить інтегровану технологію On-die ECC, яка автоматично виправляє бітові помилки безпосередньо в чіпах пам'яті, суттєво підвищуючи надійність системи. Завдяки вбудованому вузлу управління живленням (PMIC) на самій платі та низькій робочій напрузі 1.1 В, модуль демонструє чудову енергоефективність, що критично важливо для подовження автономної роботи ноутбука та зниження теплового навантаження на внутрішні компоненти пристрою.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 8 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR5 SO-DIMM (262-pin).
Тактова частота: 5600 МГц (PC5-44800).
Схема таймінгів: CL46 (стандарт JEDEC для частоти 5600).
Робоча напруга: 1.1 В.
Технології: On-die ECC (внутрішня корекція помилок), інтегрований PMIC.
Архітектура: 1Rx16 (однорангова структура).
Виробник чіпів: Samsung (Original).
| В наявності | Так |
| Основні характеристики | |
| Тип | Оперативна пам'ять |
| Виробник | Samsung |
| Форм-фактор пам'яті | SO-DIMM |
| Тип пам'яті | DDR5 |
| Обсяг пам'яті | 8 Гб |
| Кількість модулів | 1 |
| Частота пам'яті, МГц | 5600 |
| Таймінги | CL46 |
| Гарантія | |
| Гарантія | 36 міс. |
| Призначення | Для ноутбука |
* Характеристики, комплект поставки та зовнішній вигляд товару можуть відрізнятися від зазначених і/або можуть бути змінені виробником без відображення в картці товару.
Рекомендуємо переглянути
Память SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 5600 MHz, Micron, 1.1V, CL46 (MTC4C10163S1SC56BD1)
Код: 973418
В наявності