TelegramОперативна пам'ять DDR3 SO-DIMM SAMSUNG 1600 4Gb C11 1.5v (M471B5173BH0-CK0)
Рахунок з ПДВ 20%
Адресна доставка «Нова пошта»
Кур`єр по Києву 60 ₴Опис товару
Модуль оперативної пам'яті Samsung (артикул M471B5173BH0-CK0) об'ємом 4 ГБ — це оригінальний високоякісний компонент, що став золотим стандартом для ноутбуків та компактних систем покоління 2011–2013 років. Планка побудована на базі фірмових чіпів Samsung B-die, які славляться своєю винятковою надійністю та стабільністю в роботі. Працюючи на частоті 1600 МГц, цей модуль забезпечує швидкий відгук системи та комфортну роботу в режимі багатозадачності. Завдяки дворанговій архітектурі (2Rx8), модуль має підвищену сумісність зі старішими ноутбуками на базі процесорів Intel Core 1-го та 2-го поколінь, які часто не підтримують сучасніші однорангові планки високої щільності. Будучи продуктом прямого виробника напівпровідників, ця пам'ять гарантує повну відповідність стандартам JEDEC та бездоганну роботу в пристроях провідних брендів (Apple MacBook/iMac, Dell, HP, Lenovo, ASUS). Стандартна робоча напруга 1.5 В забезпечує стабільне функціонування системи протягом усього життєвого циклу пристрою.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 4 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR3 SO-DIMM (204-pin).
Тактова частота: 1600 МГц (PC3-12800S).
Схема таймінгів: CL11-11-11.
Робоча напруга: 1.5 В (стандартна напруга DDR3).
Архітектура (Ранговість): 2Rx8 (дворангова структура, 16 чіпів).
Виробник чіпів: Samsung (Original).
Призначення: Ноутбуки, моноблоки та Apple Mac (2011-2012 рр.) з підтримкою DDR3 1.5V.
Модуль оперативної пам'яті Samsung (артикул M471B5173BH0-CK0) об'ємом 4 ГБ — це оригінальний високоякісний компонент, що став золотим стандартом для ноутбуків та компактних систем покоління 2011–2013 років. Планка побудована на базі фірмових чіпів Samsung B-die, які славляться своєю винятковою надійністю та стабільністю в роботі. Працюючи на частоті 1600 МГц, цей модуль забезпечує швидкий відгук системи та комфортну роботу в режимі багатозадачності. Завдяки дворанговій архітектурі (2Rx8), модуль має підвищену сумісність зі старішими ноутбуками на базі процесорів Intel Core 1-го та 2-го поколінь, які часто не підтримують сучасніші однорангові планки високої щільності. Будучи продуктом прямого виробника напівпровідників, ця пам'ять гарантує повну відповідність стандартам JEDEC та бездоганну роботу в пристроях провідних брендів (Apple MacBook/iMac, Dell, HP, Lenovo, ASUS). Стандартна робоча напруга 1.5 В забезпечує стабільне функціонування системи протягом усього життєвого циклу пристрою.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 4 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR3 SO-DIMM (204-pin).
Тактова частота: 1600 МГц (PC3-12800S).
Схема таймінгів: CL11-11-11.
Робоча напруга: 1.5 В (стандартна напруга DDR3).
Архітектура (Ранговість): 2Rx8 (дворангова структура, 16 чіпів).
Виробник чіпів: Samsung (Original).
Призначення: Ноутбуки, моноблоки та Apple Mac (2011-2012 рр.) з підтримкою DDR3 1.5V.
| В наявності | Так |
| Основні характеристики | |
| Тип | Оперативна пам'ять |
| Виробник | Samsung |
| Форм-фактор пам'яті | SO-DIMM |
| Тип пам'яті | DDR3 |
| Обсяг пам'яті | 4 Гб |
| Кількість модулів | 1 |
| Пропускна здатність, Мб / с | 12800 |
| Частота пам'яті, МГц | 1600 |
| Таймінги | CL11 |
| Робоча напруга, В | 1.5 |
| Охолодження | ні |
| Вага упаковки | 9 кг |
| Гарантія | |
| Гарантія | 24 міс. |
| Призначення | Для ноутбука |
* Характеристики, комплект поставки та зовнішній вигляд товару можуть відрізнятися від зазначених і/або можуть бути змінені виробником без відображення в картці товару.
З цим товаром також купують
Рекомендуємо переглянути
![Пам"ять Micron 4 GB SO-DIMM DDR3L 1866 MHz (MT8KTF51264HZ-1G9E2)](/wa-data/public/shop/products/24/53/965324/images/965324001/965324001.250.jpg "Пам"ять Micron 4 GB SO-DIMM DDR3L 1866 MHz (MT8KTF51264HZ-1G9E2)")
![Пам"ять Hynix 4 GB SO-DIMM DDR3L 1333 MHz (HMT351S6CFR8A-H9)](/wa-data/public/shop/products/56/21/942156/images/942156001/942156001.250.jpg "Пам"ять Hynix 4 GB SO-DIMM DDR3L 1333 MHz (HMT351S6CFR8A-H9)")
Оперативна пам'ять MICRON DDR3L SO-DIMM 1600MHz 4Gb C11 (MT8KTF51264HZ-1G6N1)
Код: 401585
В наявності
![Пам"ять DDR3 SO-DIMM Kingston 1600 4Gb C11 - (KNWMX1-HYA)](/wa-data/public/shop/products/82/14/401482/images/401482001/401482001.250.jpg "Пам"ять DDR3 SO-DIMM Kingston 1600 4Gb C11 - (KNWMX1-HYA)")
