TelegramОперативна пам'ять DDR3 SO-DIMM SAMSUNG 1600 4Gb C11 1.5v (M471B5173BH0-CK0)
Рахунок з ПДВ 20%
Адресна доставка «Нова пошта»
Кур`єр по Києву 60 ₴Опис товару
Модуль оперативної пам'яті Samsung (артикул M471B5173BH0-CK0) об'ємом 4 ГБ — це оригінальний високоякісний компонент, що став золотим стандартом для ноутбуків та компактних систем покоління 2011–2013 років. Планка побудована на базі фірмових чіпів Samsung B-die, які славляться своєю винятковою надійністю та стабільністю в роботі. Працюючи на частоті 1600 МГц, цей модуль забезпечує швидкий відгук системи та комфортну роботу в режимі багатозадачності. Завдяки дворанговій архітектурі (2Rx8), модуль має підвищену сумісність зі старішими ноутбуками на базі процесорів Intel Core 1-го та 2-го поколінь, які часто не підтримують сучасніші однорангові планки високої щільності. Будучи продуктом прямого виробника напівпровідників, ця пам'ять гарантує повну відповідність стандартам JEDEC та бездоганну роботу в пристроях провідних брендів (Apple MacBook/iMac, Dell, HP, Lenovo, ASUS). Стандартна робоча напруга 1.5 В забезпечує стабільне функціонування системи протягом усього життєвого циклу пристрою.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 4 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR3 SO-DIMM (204-pin).
Тактова частота: 1600 МГц (PC3-12800S).
Схема таймінгів: CL11-11-11.
Робоча напруга: 1.5 В (стандартна напруга DDR3).
Архітектура (Ранговість): 2Rx8 (дворангова структура, 16 чіпів).
Виробник чіпів: Samsung (Original).
Призначення: Ноутбуки, моноблоки та Apple Mac (2011-2012 рр.) з підтримкою DDR3 1.5V.
Модуль оперативної пам'яті Samsung (артикул M471B5173BH0-CK0) об'ємом 4 ГБ — це оригінальний високоякісний компонент, що став золотим стандартом для ноутбуків та компактних систем покоління 2011–2013 років. Планка побудована на базі фірмових чіпів Samsung B-die, які славляться своєю винятковою надійністю та стабільністю в роботі. Працюючи на частоті 1600 МГц, цей модуль забезпечує швидкий відгук системи та комфортну роботу в режимі багатозадачності. Завдяки дворанговій архітектурі (2Rx8), модуль має підвищену сумісність зі старішими ноутбуками на базі процесорів Intel Core 1-го та 2-го поколінь, які часто не підтримують сучасніші однорангові планки високої щільності. Будучи продуктом прямого виробника напівпровідників, ця пам'ять гарантує повну відповідність стандартам JEDEC та бездоганну роботу в пристроях провідних брендів (Apple MacBook/iMac, Dell, HP, Lenovo, ASUS). Стандартна робоча напруга 1.5 В забезпечує стабільне функціонування системи протягом усього життєвого циклу пристрою.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 4 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR3 SO-DIMM (204-pin).
Тактова частота: 1600 МГц (PC3-12800S).
Схема таймінгів: CL11-11-11.
Робоча напруга: 1.5 В (стандартна напруга DDR3).
Архітектура (Ранговість): 2Rx8 (дворангова структура, 16 чіпів).
Виробник чіпів: Samsung (Original).
Призначення: Ноутбуки, моноблоки та Apple Mac (2011-2012 рр.) з підтримкою DDR3 1.5V.
| Гарантія |
* Характеристики, комплект поставки та зовнішній вигляд товару можуть відрізнятися від зазначених і/або можуть бути змінені виробником без відображення в картці товару.