Пам"ять Micron 4 GB SO-DIMM DDR3L 1866 MHz (MT8KTF51264HZ-1G9E2)

Опис товару
Модуль оперативної пам'яті Micron (артикул MT8KTF51264HZ-1G9E2) об'ємом 4 ГБ — це високопродуктивне та енергоефективне рішення для модернізації ноутбуків, моноблоків та компактних систем останніх поколінь стандарту DDR3. Головною особливістю цієї моделі є підвищена тактова частота 1866 МГц, що забезпечує швидшу передачу даних порівняно зі стандартними модулями 1333 або 1600 МГц. Продукт належить до категорії DDR3L (Low Voltage), що означає здатність працювати при зниженій напрузі 1.35 В. Це суттєво зменшує енергоспоживання системи, подовжує час роботи ноутбука від акумулятора та мінімізує тепловиділення всередині корпусу. Компанія Micron, як прямий виробник напівпровідникових чіпів, гарантує виняткову надійність та стабільність роботи своєї продукції під постійним навантаженням. Дана планка пам'яті часто використовується як оригінальне обладнання (OEM) у преміальних серіях лептопів, що підтверджує її високий статус та відмінну сумісність із процесорами Intel Core (від 4-го покоління і вище) та сучасними рішеннями від AMD. Встановлення такого модуля дозволяє значно підвищити чуйність операційної системи та забезпечити плавну роботу в режимі багатозадачності.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 4 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR3L SO-DIMM (204-pin).
Тактова частота: 1866 МГц.
Пропускна здатність: 14900 МБ/с (PC3L-14900).
Робоча напруга: 1.35 В (зі зворотною сумісністю з 1.5 В).
Схема таймінгів: CL13.
Архітектура чіпів: 1Rx8 (однорангова структура).
Призначення: Ноутбуки, компактні ПК (Mini-PC), моноблоки.