Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 5600 MHz, Hynix, 1.1V, CL46 (HMCG66AGBSA092N AA)

Арт: HMCG66AGBSA092N AA
Код: 886903
Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 5600 MHz, Hynix, 1.1V, CL46 (HMCG66AGBSA092N AA)
В наявності
(в т.ч. ПДВ 20%)

  • Рахунок з ПДВ 20% Рахунок з ПДВ 20%
  • Рахунок без ПДВ Рахунок без ПДВ
  • Адресна Адресна доставка «Нова пошта»
    доставимо: 23.07
  • У відділення «Нова пошта» У відділення «Нова пошта»
    доставимо: 23.07
  • Кур`єр по Києву Кур`єр по Києву 60
    доставимо: 23.07
  • Гарантия Гарантія: 12 міс.
  • Обмен/возврат Обмін/повернення: 14 дн.
Тип пам'яті: DDR5 SDRAM (найновіший стандарт)
Форм-фактор: 262-pin SO-DIMM (компактний розмір для портативної техніки)
Обсяг модуля: 8 ГБ
Кількість планок: 1 шт. у комплекті
Тактова частота: 5600 МГц (пропускна здатність PC5-44800 / 5600 МТ/с)
Таймінги (латентність): CL46
Робоча напруга: 1.1 В (стандарт для DDR5, забезпечує високу енергоефективність)
Ранг пам'яті: 1Rx16 (однорангова)
В наявності Так
Призначення Для ноутбука
Основні характеристики
Тип Оперативна пам'ять
Виробник Hynix
Форм-фактор пам'яті SO-DIMM
Тип пам'яті DDR5
Обсяг пам'яті 8 Гб
Кількість модулів 1
Частота пам'яті, МГц 5600
Таймінги CL46
Робоча напруга, В 1.1
Охолодження ні
Гарантія
Гарантія 12 міс.

* Характеристики, комплект поставки та зовнішній вигляд товару можуть відрізнятися від зазначених і/або можуть бути змінені виробником без відображення в картці товару.

Рекомендуємо переглянути

Модуль пам"яті SO-DIMM DDR5 8GB 5600 Samsung original C40 (M425R1GB4BB0-CWM)
Арт: M425R1GB4BB0-CWM
Код: 984329
(в т.ч. ПДВ 20%)
0
В наявності
Память SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 5600 MHz, Micron, 1.1V, CL46 (MTC4C10163S1SC56BD1)
Арт: MTC4C10163S1SC56BD1
Код: 973418
(в т.ч. ПДВ 20%)
0
В наявності
Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 4800 MHz, Samsung, 1.1V, CL40 (M425R1GB4BB0-CQK)
Арт: M425R1GB4BB0-CQK
Код: 962634
(в т.ч. ПДВ 20%)
0
В наявності
Память SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 5600 MHz, Samsung, 1.1V, CL46 (M425R1GB4PB0-CWM)
Арт: M425R1GB4PB0-CWM
Код: 771065
(в т.ч. ПДВ 20%)
0
В наявності