TelegramПам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 4800 MHz, Samsung, 1.1V, CL40 (M425R1GB4BB0-CQK)
Invoice with VAT 20%
Address delivery «Nova Posta»
Courier in Kiev 60 ₴Опис товару
Модуль оперативної пам'яті Samsung (артикул M425R1GB4BB0-CQK) об'ємом 8 ГБ — це високотехнологічний компонент нового покоління, створений для забезпечення стабільної та швидкої роботи сучасних ноутбуків. Будучи продуктом від провідного світового виробника напівпровідників, цей модуль вирізняється бездоганною якістю збірки та максимальною сумісністю з портативними комп'ютерами на базі процесорів Intel Core та AMD Ryzen останніх серій. Робоча частота 4800 МГц гарантує високу пропускну здатність, що дозволяє системі миттєво обробляти дані, прискорюючи завантаження програм та роботу в режимі багатозадачності. Важливою інновацією стандарту DDR5 є наявність вбудованої функції корекції помилок On-die ECC, яка автоматично виправляє бітові збої, суттєво підвищуючи надійність роботи операційної системи. Завдяки інтегрованій схемі керування живленням (PMIC) безпосередньо на платі модуля та низькій напрузі 1.1 В, пам'ять споживає менше енергії, що позитивно впливає на автономність ноутбука та зменшує його внутрішнє нагрівання. Це ідеальний вибір для базової модернізації пристрою, де на першому місці стоїть надійність компонентів та відповідність найсучаснішим галузевим стандартам JEDEC.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 8 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR5 SO-DIMM (262-pin).
Тактова частота: 4800 МГц.
Схема таймінгів: CL40-39-39.
Робоча напруга: 1.1 В.
Технології: On-die ECC, інтегрований модуль PMIC.
Архітектура: 1Rx16 (однорангова структура).
Виробник чіпів: Samsung.
Модуль оперативної пам'яті Samsung (артикул M425R1GB4BB0-CQK) об'ємом 8 ГБ — це високотехнологічний компонент нового покоління, створений для забезпечення стабільної та швидкої роботи сучасних ноутбуків. Будучи продуктом від провідного світового виробника напівпровідників, цей модуль вирізняється бездоганною якістю збірки та максимальною сумісністю з портативними комп'ютерами на базі процесорів Intel Core та AMD Ryzen останніх серій. Робоча частота 4800 МГц гарантує високу пропускну здатність, що дозволяє системі миттєво обробляти дані, прискорюючи завантаження програм та роботу в режимі багатозадачності. Важливою інновацією стандарту DDR5 є наявність вбудованої функції корекції помилок On-die ECC, яка автоматично виправляє бітові збої, суттєво підвищуючи надійність роботи операційної системи. Завдяки інтегрованій схемі керування живленням (PMIC) безпосередньо на платі модуля та низькій напрузі 1.1 В, пам'ять споживає менше енергії, що позитивно впливає на автономність ноутбука та зменшує його внутрішнє нагрівання. Це ідеальний вибір для базової модернізації пристрою, де на першому місці стоїть надійність компонентів та відповідність найсучаснішим галузевим стандартам JEDEC.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 8 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR5 SO-DIMM (262-pin).
Тактова частота: 4800 МГц.
Схема таймінгів: CL40-39-39.
Робоча напруга: 1.1 В.
Технології: On-die ECC, інтегрований модуль PMIC.
Архітектура: 1Rx16 (однорангова структура).
Виробник чіпів: Samsung.
| В наявності | Так |
| Purpose | For laptop |
| Main characteristics | |
| Type of | RAM |
| Manufacturer | Samsung |
| Memory form factor | SO-DIMM |
| Memory type | DDR5 |
| Memory | 8 GB |
| Number of modules | 1 |
| Memory frequency, MHz | 4800 |
| Timings | CL40 |
| Operating voltage, V | 1.1 |
| Cooling | Not |
| Warranty | |
| Warranty | 12 months |
* Characteristics, delivery and appearance of the product may differ from those indicated and / or may be changed by the manufacturer without reflection of the product in the card.
![Модуль пам"яті SO-DIMM DDR5 8GB 5600 Samsung original C40 (M425R1GB4BB0-CWM)](/wa-data/public/shop/products/29/43/984329/images/984329001/984329001.250.jpg "Модуль пам"яті SO-DIMM DDR5 8GB 5600 Samsung original C40 (M425R1GB4BB0-CWM)")
![Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 5600 MHz, Hynix, 1.1V, CL46 (HMCG66AGBSA092N AA)](/wa-data/public/shop/products/03/69/886903/images/886903001/886903001.250.jpg "Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 5600 MHz, Hynix, 1.1V, CL46 (HMCG66AGBSA092N AA)")
